3D X-DRAM стремится к 10-кратному увеличению емкости современной памяти

Компания NEO Semiconductor в очередной раз анонсировала новую технологию, которая должна произвести революцию в области памяти DRAM. Сегодня компания
представила два новых дизайна ячеек 3D X-DRAM - 1T1C и 3T0C. Однотранзисторный-одноконденсаторный и трехтранзисторный-нуль-конденсаторный дизайны, как ожидается, появятся в тестовых чипах в 2026 году, и их емкость будет в 10 раз выше, чем у обычных модулей DRAM.

Основанные на существующей технологии 3D...

Читать далее