Прорыв в области MRAM следующего поколения позволит переключать биты на скоростях, сопоставимых со скоростью SRAM, при низком энергопотреблении

Международная исследовательская группа, возглавляемая учёными Национального университета Ян Минг Цзяо Туна (NYCU, Тайвань), опубликовала статью, в которой представлена новая разработка в области магниторезистивной памяти с доступом по выборке (SOT-MRAM). В работе описано преодоление одного из ключевых барьеров, долгое время сдерживавших внедрение этой технологии в массовое производство.

Исследователи сообщили о достижении скорости переключения порядка...

Читать далее